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專家信息：

張萬榮，男，1996年畢業(yè)于西安交通大學信息工程學院，獲博士學位，1999年博士學位論文榮獲陜西省優(yōu)秀博士論文�，F(xiàn)為北京工業(yè)大學電子信息與通信工程學院教授，碩士生、博士生導師。中國電子學會高級會員、美國AAAS會員，北京電子學會半導體專業(yè)委員會委員，《半導體學報》、《電子學報》、《通信學報》、《微波學報》、《中國物理快報》、《河北工業(yè)大學學報》、《廈門大學學報》、《西安交通大學學報》、《蘭州大學學報》等學術(shù)期刊論文評審專家，國家自然科學基金項目評議專家，浙江省自然科學基金項目評議專家，全國學位與研究生教育評估專家。

教育及工作經(jīng)歷： 

1996年畢業(yè)于西安交通大學信息工程學院，獲工學博士學位，博士學位論文于1999年榮獲陜西省省級優(yōu)秀博士論文。

北京工業(yè)大學電子信息與控制工程學院教授，博士研究生導師、碩士研究生導師，射頻/微波器件與射頻/微波集成電路研究室主任。

1997年入選北京市科技新星計劃。

1999年入選北京市跨世紀優(yōu)秀人才工程。

2005年入選北京市屬市管高等學校“中青年骨干教師培養(yǎng)計劃。

學術(shù)兼職： 

1、中國電子學會高級會員。

2、中國電工技術(shù)學會高級會員。

3、北京電子學會半導體專業(yè)委員會副主任委員。

4、中國電工技術(shù)學會電力電子學會理事。

5、《半導體技術(shù)》理事會理事，《Journal of Semiconductor(半導體學報)》編委,《電力電子技術(shù)》編委。

6、《International Journal of Electronics》、《Thin Solid Film》、《Chinese Physics》、《Journal of Semiconductor》、《中國物理快報》、《電子學報》、《電子與信息學報》、《通信學報》、《應(yīng)用基礎(chǔ)與工程科學學報》、《哈爾濱工業(yè)大學學報》、《西安電子科技大學學報》、《廈門大學學報》、《西安交通大學學報》、《蘭州大學學報》、《同濟大學學報》、《華南理工大學學報》、《華北電力大學學報》、《中國科技論文在線》、《功能材料與器件學報》、《應(yīng)用科技》、《河北工業(yè)大學學報》等學術(shù)期刊論文評審專家。

7、國家自然科學基金項目評議專家。

8、浙江省、黑龍江省、北京市、天津市、廣西等省市自然科學基金項目評議專家。

9、高等學校博士學科點專項科研基金項目評議專家。

10、教育部科學技術(shù)研究重點項目評議專家。

11、教育部高等學校科技獎勵評議專家。

12、河北省科技獎評審專家。

13、全國學位與研究生教育評估專家。

14、工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進中心（CSIP）技術(shù)鑒定專家。

15、財政部投資評審中心重大項目評審專家。

人才培養(yǎng)：

培養(yǎng)了大批優(yōu)秀的本科生和研究生。

科學研究：

研究方向：

研究方向為射頻(RF)/微波(MW)器件與射頻(RF)/微波(MW)集成電路，微電子器件與集成電路可靠性。

承擔科研項目情況：

國家自然科學基金課題，北京市自然科學基金，北京市教委科技發(fā)展項目，北京市屬市管高等學校人才強教計劃項目，武器裝備部基金課題，北京市跨世紀優(yōu)秀人才基金等課題。

科研成果：

榮獲省部級獎兩項，國防科工委鑒定項目1項，出版譯著3部，在國內(nèi)外學術(shù)期刊和會議上發(fā)表論文百余篇，SCI、EI、ISTP收錄近75余篇次，據(jù)不完全統(tǒng)計，被國內(nèi)外學者引用八十多篇次。

發(fā)明公開：

[1]那偉聰, 白太琦, 劉文旭, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月. 一種基于電磁靈敏度分析與伴隨人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的微波器件自適應(yīng)建模方法[P]. 北京市: CN118278281A, 2024-07-02.

[2]金冬月, 陳斌, 王智勇, 代京京, 張萬榮, 那偉聰, 洪福臨. 一種半導體激光器液體噴流控溫系統(tǒng)[P]. 北京市: CN118073958A, 2024-05-24.

[3]金冬月, 周鈺鑫, 張萬榮, 那偉聰, 雷鑫, 劉圓圓, 韓趙會. 一種結(jié)溫可調(diào)的垂直腔面發(fā)射激光器[P]. 北京市: CN116207605A, 2023-06-02.

[4]張萬榮, 任衍貴, 那偉聰, 吳銀烽, 王曉雪, 高文靜, 李楠星. 一種電壓調(diào)諧有源電感[P]. 北京市: CN115347879A, 2022-11-15.

[5]張萬榮, 吳銀烽, 那偉聰, 任衍貴, 王曉雪, 高文靜, 李楠星. 一種基于金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)晶體管合成的等效電感電路[P]. 北京市: CN115296660A, 2022-11-04.

[6]那偉聰, 劉文旭, 劉可, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月. 一種基于多層神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型結(jié)構(gòu)自適應(yīng)的微波器件建模方法[P]. 北京市: CN114462232A, 2022-05-10.

[7]張萬榮, 王曉雪, 李祎康, 金冬月, 那偉聰, 謝紅云, 李白. 一種寬頻帶壓控有源電感[P]. 北京市: CN114448388A, 2022-05-06.

[8]張萬榮, 王曉雪, 張思佳, 謝紅云, 金冬月, 那偉聰, 李白. 一種高線性高頻有源電感[P]. 北京市: CN114373614A, 2022-04-19.

[9]金冬月, 雷鑫, 關(guān)寶璐, 張萬榮, 潘永安, 周鈺鑫, 劉圓圓. 一種運用粒子群算法優(yōu)化VCSEL陣列排布的方法[P]. 北京市: CN113868905A, 2021-12-31.

[10]金冬月, 劉圓圓, 張萬榮, 賈曉雪, 潘永安, 曹路明, 雷鑫. 一種具有高壓和高增益模式的高頻橫向雙極晶體管電路[P]. 北京市: CN113838926A, 2021-12-24.

[11]金冬月, 賈曉雪, 張萬榮, 曹路明, 劉圓圓. 一種電荷等離子體SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京市: CN113838927A, 2021-12-24.

[12]那偉聰, 劉可, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月. 一種高效的結(jié)合并行局部采樣和貝葉斯優(yōu)化的微波器件設(shè)計方法[P]. 北京市: CN113449423A, 2021-09-28.

[13]金冬月, 潘永安, 張萬榮, 楊紹萌, 賈曉雪, 周鈺鑫, 雷鑫, 楊瀅齊. 高均勻結(jié)溫分布的垂直腔面發(fā)射激光器陣列[P]. 北京市: CN112688162A, 2021-04-20.

[14]張萬榮, 李白, 謝紅云, 金冬月, 那偉聰, 李祎康, 康翼麟. 一種能對性能進行多種重構(gòu)的高頻壓控有源電感[P]. 北京市: CN112583356A, 2021-03-30.

[15]謝紅云, 劉先程, 向洋, 郭敏, 沙印, 張萬榮. 一種具有光子晶體結(jié)構(gòu)的側(cè)面入射型SOI基Si/SiGe HPT的制備方法[P]. 北京市: CN112531073A, 2021-03-19.

[16]金冬月, 楊紹萌, 張萬榮, 那偉聰, 吳玲, 楊瀅齊. 出光功率均勻的垂直腔面發(fā)射激光器陣列及其制造方法[P]. 北京市: CN112448267A, 2021-03-05.

[17]謝紅云, 沙印, 向洋, 朱富, 紀瑞朗, 張萬榮. 光子晶體SiGe/Si光敏晶體管探測器[P]. 北京市: CN112420857A, 2021-02-26.

[18]謝紅云, 向洋, 沙印, 朱富, 紀瑞朗, 張萬榮. 一種硅基脊波導光電晶體管探測器[P]. 北京市: CN112420858A, 2021-02-26.

[19]那偉聰, 劉可, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月. 一種高效的基于貝葉斯理論的人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)微波器件建模方法[P]. 北京市: CN112347704A, 2021-02-09.

[20]張萬榮, 李祎康, 謝紅云, 金冬月, 那偉聰. 高頻下大電感值高Q值且在同一頻率下Q峰值可獨立調(diào)節(jié)的有源電感[P]. 北京市: CN111988016A, 2020-11-24.

[21]張萬榮, 萬禾湛, 謝紅云, 金冬月, 那偉聰, 張思佳, 張昭. 一種寬頻帶工作的差分有源電感[P]. 北京市: CN111884622A, 2020-11-03.

[22]張萬榮, 張昭, 謝紅云, 金冬月, 張思佳, 萬禾湛, 王飛虎. 一種射頻壓控有源電感[P]. 北京市: CN111478680A, 2020-07-31.

[23]那偉聰, 孫語棠, 羅琪, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月. 一種結(jié)合先進自適應(yīng)采樣和人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的微波器件自動建模方法[P]. 北京市: CN111460734A, 2020-07-28.

[24]張萬榮, 張思佳, 謝紅云, 金冬月, 萬禾湛, 張昭. 一種射頻電感電路[P]. 北京市: CN111446930A, 2020-07-24.

[25]孫晟, 金冬月, 張萬榮, 吳玲, 曹路明, 賈曉雪. 一種等溫分布的介質(zhì)槽隔離結(jié)構(gòu)SiGeHBT陣列[P]. 北京市: CN111081702A, 2020-04-28.

[26]那偉聰, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月. 一種應(yīng)用于微波器件的新型深層神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)自動建模方法[P]. 北京市: CN110765704A, 2020-02-07.

[27]金冬月, 吳玲, 張萬榮, 那偉聰, 孫晟, 楊紹萌. 一種摻雜濃度可調(diào)的橫向SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京市: CN110556420A, 2019-12-10.

[28]金冬月, 郭斌, 張萬榮, 那偉聰, 陳蕊, 楊邵萌. 等溫共發(fā)射區(qū)橫向SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京市: CN110310984A, 2019-10-08.

[29]謝紅云, 劉先程, 沙印, 郭敏, 馬佩, 張萬榮. 一種SOI基SiGe雙異質(zhì)結(jié)光敏晶體管探測器[P]. 北京市: CN110047969A, 2019-07-23.

[30]金冬月, 郭斌, 張萬榮, 陳蕊, 王利凡, 陳虎, 賈曉雪. 具有低溫度敏感性的SOI SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京市: CN109742138A, 2019-05-10.

[31]張萬榮, 徐曙, 謝紅云, 金冬月, 張崟, 楊鑫. 一種可工作在Ku波段的有源電感[P]. 北京市: CN109450404A, 2019-03-08.

[32]張萬榮, 張崟, 謝紅云, 金冬月, 徐曙, 楊鑫, 張昭. 一種射頻電感電路[P]. 北京市: CN109412553A, 2019-03-01.

[33]張萬榮, 楊鑫, 謝紅云, 金冬月, 徐曙, 張崟, 張昭. 一種寬頻帶、大電感值、高Q值且Q值可獨立調(diào)節(jié)的有源電感[P]. 北京市: CN108900175A, 2018-11-27.

[34]張萬榮, 黃建程, 謝紅云, 金冬月, 董小喬, 王家寧, 張昭. 一種射頻集成有源電感[P]. 北京: CN108768342A, 2018-11-06.

[35]金冬月, 王利凡, 張萬榮, 陳蕊, 郭燕玲, 郭斌, 陳虎. 具有高特征頻率-擊穿電壓優(yōu)值的SOI SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京: CN108010962A, 2018-05-08.

[36]謝紅云, 劉芮, 高杰, 吳佳輝, 馬佩, 張萬榮. 一種具有行波電極的硅基波導型光敏晶體管探測器[P]. 北京: CN107946383A, 2018-04-20.

[37]謝紅云, 吳佳輝, 劉芮, 孫丹, 馬佩, 高杰, 張萬榮. 基區(qū)Ge組分分段分布的SiGe/Si異質(zhì)結(jié)光敏晶體管探測器[P]. 北京: CN107302037A, 2017-10-27.

[38]謝紅云, 馬佩, 劉碩, 高杰, 吳佳輝, 劉芮, 張萬榮. 具有本征層結(jié)構(gòu)的InGaAs/InP光敏晶體管紅外探測器[P]. 北京: CN107240616A, 2017-10-10.

[39]張萬榮, 楊坤, 謝紅云, 金冬月, 呂曉強, 王娜, 溫曉偉, 郭燕玲, 孫丹, 陳吉添, 黃鑫. 一種高Q值、電感值可粗調(diào)細調(diào)的寬頻帶有源電感[P]. 北京: CN107124157A, 2017-09-01.

[40]張萬榮, 溫曉偉, 謝紅云, 金冬月, 陳鵬輝, 黃鑫, 陳吉添, 劉亞澤, 呂曉強, 王娜, 楊坤, 孫丹, 郭燕玲. 低功耗三頻帶低噪聲放大器[P]. 北京: CN106301237A, 2017-01-04.

[41]謝紅云, 孫丹, 張良浩, 劉碩, 張萬榮. 超寬帶雙重增益控制電路[P]. 北京: CN106208997A, 2016-12-07.

[42]金冬月, 趙馨儀, 張萬榮, 郭燕玲, 陳蕊, 王利凡. 高熱穩(wěn)定性超結(jié)應(yīng)變Si/SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京: CN106169498A, 2016-11-30.

[43]張萬榮, 劉亞澤, 謝紅云, 金冬月, 陳吉添, 黃鑫, 鄧薔薇, 王忠俊, 趙彥曉, 劉碩, 趙馨儀. 一種高Q值、電感值與工作頻率范圍可調(diào)諧的有源電感[P]. 北京: CN105680822A, 2016-06-15.

[44]謝紅云, 劉碩, 張良浩, 孫丹, 張萬榮. 一種SiGe/Si異質(zhì)結(jié)光敏晶體管探測器[P]. 北京: CN105226129A, 2016-01-06.

[45]張萬榮, 劉鵬, 謝紅云, 金冬月, 趙彥曉. 三個負跨導放大器構(gòu)成的大電感值、高Q值可調(diào)節(jié)有源電感[P]. 北京: CN105207664A, 2015-12-30.

[46]張萬榮, 王忠俊, 謝紅云, 金冬月, 趙彥曉, 黃鑫, 鄧薔薇. 一種寬頻帶、高Q值有源電感[P]. 北京: CN105071784A, 2015-11-18.

[47]張萬榮, 陳吉添, 謝紅云, 金冬月, 鄧薔薇, 黃鑫, 趙彥曉, 劉亞澤, 劉碩, 金子超, 趙馨儀. 采用負阻結(jié)構(gòu)的寬頻帶、高Q值、可調(diào)諧的有源電感[P]. 北京: CN104980125A, 2015-10-14.

[48]趙彥曉, 張萬榮, 黃鑫, 謝紅云, 鄧薔薇, 金冬月. 線性化的晶體管合成電感[P]. 北京: CN104953984A, 2015-09-30.

[49]張萬榮, 黃鑫, 謝紅云, 金冬月, 趙彥曉, 金子超, 陳吉添, 劉亞澤, 劉碩, 趙馨儀. 一種射頻有源電感[P]. 北京: CN104917488A, 2015-09-16.

[50]趙彥曉, 張萬榮, 張良浩, 謝紅云, 黃鑫, 鄧薔薇, 金冬月. 晶體管合成電感[P]. 北京: CN104898761A, 2015-09-09.

[51]張萬榮, 陳鵬輝, 金冬月, 謝紅云, 趙飛義, 鄧薔薇. 一種低功耗超寬帶低噪聲放大器[P]. 北京: CN104660185A, 2015-05-27.

[52]謝紅云, 張良浩, 劉碩, 張萬榮, 趙飛義, 鄧薔薇, 江之韻. 超寬帶可變增益放大器[P]. 北京: CN104362987A, 2015-02-18.

[53]張萬榮, 鄧薔薇, 金冬月, 謝紅云, 趙飛義. 基于有源電感的可重配置超寬帶低噪聲放大器[P]. 北京: CN104242830A, 2014-12-24.

[54]金冬月, 王肖, 張萬榮, 付強, 陳亮, 胡瑞心, 魯東. 超結(jié)集電區(qū)SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京: CN104091825A, 2014-10-08.

[55]張萬榮, 趙飛義, 陳昌麟, 江之韻, 胡瑞心, 趙彥曉. 全差分式浮地有源電感[P]. 北京: CN104009722A, 2014-08-27.

[56]張萬榮, 陳昌麟, 趙飛義, 卓匯涵, 白楊. 高Q值可調(diào)諧差分式有源電感[P]. 北京: CN103956986A, 2014-07-30.

[57]金冬月, 胡瑞心, 張萬榮, 王肖, 付強, 魯東. 超結(jié)集電區(qū)應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京: CN103943670A, 2014-07-23.

[58]趙彥曉, 張萬榮, 謝紅云, 高棟, 趙飛義. 可小型化設(shè)計的電感[P]. 北京: CN103905012A, 2014-07-02.

[59]趙彥曉, 張萬榮, 謝紅云, 高棟, 趙飛義. 寬帶低噪聲放大器[P]. 北京: CN103888083A, 2014-06-25.

[60]霍文娟, 謝紅云, 江之韻, 張良浩, 張萬榮. 基區(qū)漸變的單向載流子傳輸?shù)碾p異質(zhì)結(jié)光敏晶體管探測器[P]. 北京: CN103545398A, 2014-01-29.

[61]江之韻, 謝紅云, 張良浩, 霍文娟, 張萬榮. 行波電極漸變耦合脊波導InP雙異質(zhì)結(jié)光敏晶體管[P]. 北京: CN103545399A, 2014-01-29.

[62]張萬榮, 丁春寶, 謝紅云, 金冬月, 陳亮, 付強, 趙彥曉, 高棟, 魯東, 周孟龍, 張卿遠, 邵翔鵬, 霍文娟. 小面積、線性度可調(diào)諧的高線性低噪聲放大器[P]. 北京: CN103546104A, 2014-01-29.

[63]張萬榮, 周孟龍, 謝紅云, 金冬月, 丁春寶, 趙彥曉, 陳亮, 付強, 高棟, 魯東, 張卿遠, 邵翔鵬, 霍文娟. 高Q值超寬帶可調(diào)諧有源電感[P]. 北京: CN103546119A, 2014-01-29.

[64]張萬榮, 高棟, 謝紅云, 金冬月, 丁春寶, 趙彥曉, 陳亮, 付強, 魯東, 周孟龍, 張卿遠, 邵翔鵬, 霍文娟. 具有大電感值、高Q值的新型可調(diào)有源電感[P]. 北京: CN103532517A, 2014-01-22.

[65]金冬月, 胡瑞心, 張萬榮, 魯東, 付強, 王肖. 超寬溫區(qū)高熱穩(wěn)定性微波功率SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京: CN103441141A, 2013-12-11.

[66]金冬月, 張萬榮, 謝紅云, 陳亮, 胡寧, 肖盈, 王任卿. 高熱穩(wěn)定性功率異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京: CN101656267, 2010-02-24.

發(fā)明授權(quán)：

[1]金冬月, 雷鑫, 關(guān)寶璐, 張萬榮, 潘永安, 周鈺鑫, 劉圓圓. 一種運用粒子群算法優(yōu)化VCSEL陣列排布的方法[P]. 北京市: CN113868905B, 2024-03-29.

[2]那偉聰, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月. 一種應(yīng)用于微波器件的新型深層神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)自動建模方法[P]. 北京市: CN110765704B, 2024-02-06.

[3]那偉聰, 劉可, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月. 一種高效的結(jié)合并行局部采樣和貝葉斯優(yōu)化的微波器件設(shè)計方法[P]. 北京市: CN113449423B, 2023-11-24.

[4]那偉聰, 劉可, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月. 一種高效的基于貝葉斯理論的人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)微波器件建模方法[P]. 北京市: CN112347704B, 2023-10-20.

[5]金冬月, 賈曉雪, 張萬榮, 曹路明, 劉圓圓. 一種電荷等離子體SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京市: CN113838927B, 2023-09-19.

[6]金冬月, 劉圓圓, 張萬榮, 賈曉雪, 潘永安, 曹路明, 雷鑫. 一種具有高壓和高增益模式的高頻橫向雙極晶體管電路[P]. 北京市: CN113838926B, 2023-09-12.

[7]張萬榮, 張昭, 謝紅云, 金冬月, 張思佳, 萬禾湛, 王飛虎. 一種射頻壓控有源電感[P]. 北京市: CN111478680B, 2022-12-23.

[8]張萬榮, 萬禾湛, 謝紅云, 金冬月, 那偉聰, 張思佳, 張昭. 一種寬頻帶工作的差分有源電感[P]. 北京市: CN111884622B, 2022-12-23.

[9]張萬榮, 李祎康, 謝紅云, 金冬月, 那偉聰. 高頻下大電感值高Q值且在同一頻率下Q峰值可獨立調(diào)節(jié)的有源電感[P]. 北京市: CN111988016B, 2022-12-23.

[10]金冬月, 郭斌, 張萬榮, 陳蕊, 王利凡, 陳虎, 賈曉雪. 具有低溫度敏感性的SOI SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京市: CN109742138B, 2022-12-16.

[11]張萬榮, 張思佳, 謝紅云, 金冬月, 萬禾湛, 張昭. 一種射頻電感電路[P]. 北京市: CN111446930B, 2022-12-16.

[12]金冬月, 吳玲, 張萬榮, 那偉聰, 孫晟, 楊紹萌. 一種摻雜濃度可調(diào)的橫向SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京市: CN110556420B, 2022-11-04.

[13]謝紅云, 劉先程, 向洋, 郭敏, 沙印, 張萬榮. 一種具有光子晶體結(jié)構(gòu)的側(cè)面入射型SOI基Si/SiGe HPT的制備方法[P]. 北京市: CN112531073B, 2022-09-20.

[14]謝紅云, 向洋, 沙印, 朱富, 紀瑞朗, 張萬榮. 一種硅基脊波導光電晶體管探測器[P]. 北京市: CN112420858B, 2022-09-09.

[15]張萬榮, 徐曙, 謝紅云, 金冬月, 張崟, 楊鑫. 一種可工作在Ku波段的有源電感[P]. 北京市: CN109450404B, 2022-08-02.

[16]金冬月, 郭斌, 張萬榮, 那偉聰, 陳蕊, 楊邵萌. 等溫共發(fā)射區(qū)橫向SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京市: CN110310984B, 2022-07-15.

[17]張萬榮, 張崟, 謝紅云, 金冬月, 徐曙, 楊鑫, 張昭. 一種射頻電感電路[P]. 北京市: CN109412553B, 2022-07-01.

[18]孫晟, 金冬月, 張萬榮, 吳玲, 曹路明, 賈曉雪. 一種等溫分布的介質(zhì)槽隔離結(jié)構(gòu)SiGeHBT陣列[P]. 北京市: CN111081702B, 2022-05-31.

[19]張萬榮, 李白, 謝紅云, 金冬月, 那偉聰, 李祎康, 康翼麟. 一種能對性能進行多種重構(gòu)的高頻壓控有源電感[P]. 北京市: CN112583356B, 2022-05-24.

[20]金冬月, 潘永安, 張萬榮, 楊紹萌, 賈曉雪, 周鈺鑫, 雷鑫, 楊瀅齊. 高均勻結(jié)溫分布的垂直腔面發(fā)射激光器陣列[P]. 北京市: CN112688162B, 2022-03-29.

[21]金冬月, 楊紹萌, 張萬榮, 那偉聰, 吳玲, 楊瀅齊. 出光功率均勻的垂直腔面發(fā)射激光器陣列及其制造方法[P]. 北京市: CN112448267B, 2022-02-11.

[22]張萬榮, 楊鑫, 謝紅云, 金冬月, 徐曙, 張崟, 張昭. 一種寬頻帶、大電感值、高Q值且Q值可獨立調(diào)節(jié)的有源電感[P]. 北京市: CN108900175B, 2021-09-07.

[23]張萬榮, 黃建程, 謝紅云, 金冬月, 董小喬, 王家寧, 張昭. 一種射頻集成有源電感[P]. 北京市: CN108768342B, 2021-09-03.

[24]金冬月, 王利凡, 張萬榮, 陳蕊, 郭燕玲, 郭斌, 陳虎. 具有高特征頻率-擊穿電壓優(yōu)值的SOI SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京市: CN108010962B, 2020-06-19.

[25]張萬榮, 楊坤, 謝紅云, 金冬月, 呂曉強, 王娜, 溫曉偉, 郭燕玲, 孫丹, 陳吉添, 黃鑫. 一種高Q值、電感值可粗調(diào)細調(diào)的寬頻帶有源電感[P]. 北京市: CN107124157B, 2020-05-08.

[26]謝紅云, 劉芮, 高杰, 吳佳輝, 馬佩, 張萬榮. 一種具有行波電極的硅基波導型光敏晶體管探測器[P]. 北京市: CN107946383B, 2019-09-03.

[27]謝紅云, 吳佳輝, 劉芮, 孫丹, 馬佩, 高杰, 張萬榮. 基區(qū)Ge組分分段分布的SiGe/Si異質(zhì)結(jié)光敏晶體管探測器[P]. 北京市: CN107302037B, 2019-05-17.

[28]謝紅云, 孫丹, 張良浩, 劉碩, 張萬榮. 超寬帶雙重增益控制電路[P]. 北京市: CN106208997B, 2019-04-12.

[29]金冬月, 趙馨儀, 張萬榮, 郭燕玲, 陳蕊, 王利凡. 高熱穩(wěn)定性超結(jié)應(yīng)變Si/SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京市: CN106169498B, 2019-03-05.

[30]張萬榮, 溫曉偉, 謝紅云, 金冬月, 陳鵬輝, 黃鑫, 陳吉添, 劉亞澤, 呂曉強, 王娜, 楊坤, 孫丹, 郭燕玲. 低功耗三頻帶低噪聲放大器[P]. 北京市: CN106301237B, 2019-02-15.

[31]謝紅云, 馬佩, 劉碩, 高杰, 吳佳輝, 劉芮, 張萬榮. 具有本征層結(jié)構(gòu)的InGaAs/InP光敏晶體管紅外探測器[P]. 北京市: CN107240616B, 2018-11-13.

[32]張萬榮, 劉亞澤, 謝紅云, 金冬月, 陳吉添, 黃鑫, 鄧薔薇, 王忠俊, 趙彥曉, 劉碩, 趙馨儀. 一種高Q值、電感值與工作頻率范圍可調(diào)諧的有源電感[P]. 北京市: CN105680822B, 2018-09-04.

[33]趙彥曉, 張萬榮, 謝紅云, 高棟, 趙飛義. 寬帶低噪聲放大器[P]. 北京市: CN103888083B, 2018-06-19.

[34]張萬榮, 王忠俊, 謝紅云, 金冬月, 趙彥曉, 黃鑫, 鄧薔薇. 一種寬頻帶、高Q值有源電感[P]. 北京市: CN105071784B, 2018-02-16.

[35]張萬榮, 劉鵬, 謝紅云, 金冬月, 趙彥曉. 三個負跨導放大器構(gòu)成的大電感值、高Q值可調(diào)節(jié)有源電感[P]. 北京市: CN105207664B, 2017-12-01.

[36]趙彥曉, 張萬榮, 黃鑫, 謝紅云, 鄧薔薇, 金冬月. 線性化的晶體管合成電感[P]. 北京市: CN104953984B, 2017-11-03.

[37]張萬榮, 陳吉添, 謝紅云, 金冬月, 鄧薔薇, 黃鑫, 趙彥曉, 劉亞澤, 劉碩, 金子超, 趙馨儀. 采用負阻結(jié)構(gòu)的寬頻帶、高Q值、可調(diào)諧的有源電感[P]. 北京市: CN104980125B, 2017-10-13.

[38]張萬榮, 陳鵬輝, 金冬月, 謝紅云, 趙飛義, 鄧薔薇. 一種低功耗超寬帶低噪聲放大器[P]. 北京市: CN104660185B, 2017-07-14.

[39]張萬榮, 鄧薔薇, 金冬月, 謝紅云, 趙飛義. 基于有源電感的可重配置超寬帶低噪聲放大器[P]. 北京市: CN104242830B, 2017-06-27.

[40]張萬榮, 趙飛義, 陳昌麟, 江之韻, 胡瑞心, 趙彥曉. 全差分式浮地有源電感[P]. 北京市: CN104009722B, 2017-06-16.

[41]趙彥曉, 張萬榮, 謝紅云, 高棟, 趙飛義. 可小型化設(shè)計的電感[P]. 北京市: CN103905012B, 2017-06-06.

[42]趙彥曉, 張萬榮, 張良浩, 謝紅云, 黃鑫, 鄧薔薇, 金冬月. 晶體管合成電感[P]. 北京市: CN104898761B, 2017-05-10.

[43]金冬月, 王肖, 張萬榮, 付強, 陳亮, 胡瑞心, 魯東. 超結(jié)集電區(qū)SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京市: CN104091825B, 2017-04-19.

[44]謝紅云, 張良浩, 劉碩, 張萬榮, 趙飛義, 鄧薔薇, 江之韻. 超寬帶可變增益放大器[P]. 北京市: CN104362987B, 2017-04-19.

[45]張萬榮, 陳昌麟, 趙飛義, 卓匯涵, 白楊. 高Q值可調(diào)諧差分式有源電感[P]. 北京市: CN103956986B, 2017-02-15.

[46]謝紅云, 劉碩, 張良浩, 孫丹, 張萬榮. 一種SiGe/Si異質(zhì)結(jié)光敏晶體管探測器[P]. 北京市: CN105226129B, 2017-02-01.

[47]金冬月, 胡瑞心, 張萬榮, 王肖, 付強, 魯東. 超結(jié)集電區(qū)應(yīng)變硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京市: CN103943670B, 2016-10-05.

[48]張萬榮, 周孟龍, 謝紅云, 金冬月, 丁春寶, 趙彥曉, 陳亮, 付強, 高棟, 魯東, 張卿遠, 邵翔鵬, 霍文娟. 高Q值超寬帶可調(diào)諧有源電感[P]. 北京市: CN103546119B, 2016-09-21.

[49]金冬月, 胡瑞心, 張萬榮, 魯東, 付強, 王肖. 超寬溫區(qū)高熱穩(wěn)定性微波功率SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京市: CN103441141B, 2016-08-10.

[50]江之韻, 謝紅云, 張良浩, 霍文娟, 張萬榮. 行波電極漸變耦合脊波導InP雙異質(zhì)結(jié)光敏晶體管[P]. 北京市: CN103545399B, 2016-06-29.

[51]霍文娟, 謝紅云, 江之韻, 張良浩, 張萬榮. 基區(qū)漸變的單向載流子傳輸?shù)碾p異質(zhì)結(jié)光敏晶體管探測器[P]. 北京市: CN103545398B, 2016-06-08.

[52]張萬榮, 丁春寶, 謝紅云, 金冬月, 陳亮, 付強, 趙彥曉, 高棟, 魯東, 周孟龍, 張卿遠, 邵翔鵬, 霍文娟. 小面積、線性度可調(diào)諧的高線性低噪聲放大器[P]. 北京市: CN103546104B, 2016-06-01.

[53]金冬月, 張萬榮, 謝紅云, 陳亮, 胡寧, 肖盈, 王任卿. 高熱穩(wěn)定性功率異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京市: CN101656267B, 2011-08-17.

實用新型：

[1]金冬月, 張萬榮, 謝紅云, 陳亮, 胡寧, 肖盈, 王任卿. 高熱穩(wěn)定性功率異質(zhì)結(jié)雙極晶體管[P]. 北京: CN201508838U, 2010-06-16.

[2]甘軍寧, 魯俊杰, 張萬榮, 賈寶敦. 智能安全鍵盤[P]. 北京: CN201111222, 2008-09-03.

論文專著：

發(fā)表英文期刊論文：

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[2]Jiang Zhi-Yun; Xie Hong-Yun*; Zhang Liang-Hao; Zhang Wan-Rong; Hu Rui-Xin; Huo Wen-Juan.Analysis on high speed response of a uni-traveling-carrier double hetero-junction phototransistor.Chinese Physics B, 2015, 24(4): 048504.

[3]Zhao, Yanxiao; Zhang, Wanrong*.An Improved Active Inductor with Tunable Active Resistor Feedback and Multi-regulated Cascode Circuit.Sensors & Transducers Journal, 2014, 172(6): 191-195.

[4]Huo Wen-Juan*; Xie Hong-Yun; Liang Song; Zhang Wan-Rong; Jiang Zhi-Yun; Chen Xiang; Lu Dong.Uni-traveling-carrier double heterojunction phototransistor photodetector.Acta Physica Sinica, 2013, 62(22): 228501.

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[11]Lu Dong*; Jin Dong-Yue; Zhang Wan-Rong; Zhang Yu-Jie; Fu Qiang; Hu Rui-Xin; Gao Dong; Zhang Qing-Yuan; Huo Wen-Juan; Zhou Meng-Long; Shao Xiang-Peng.Novel microwave power sige heterojunction bipolar transistor with high thermal stability over a wide temperature range.ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 62(10): 104401.

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[15]Chen Liang*; Zhang Wan-Rong; Xie Hong-Yun; Jin Dong-Yue; Ding Chun-Bao; Fu Qiang; Wang Ren-Qing; Xiao Ying; Zhao Xin.Restabilizing Mechanisms after the Onset of Thermal Instability in Bipolar Transistors.Chinese Physics Letters, 2011, 28(7): 078501.

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[18]Jin Dongyue; Zhang Wanrong; Chen Liang; Fu Qiang; Xiao Ying; Wan Renqing; Zhao Xin.Thermal resistance matrix representation of thermal effects and thermal design in multi-finger power heterojunction bipolar transistors.Chinese Physics B, 2011, 20(6).

[19]Xiao Ying*; Zhang Wan-Rong; Jin Dong-Yue; Chen Liang; Wang Ren-Qing; Xie Hong-Yun.Effect of bandgap engineering on thermal characteristic of radio frequency power SiGe heterojunction bipolar transistor.Acta Physica Sinica, 2011, 60(4): 044402.

[20]ChenLiang(陳亮),ZhangWan-Rong(張萬榮),JinDong-Yue*.Thermal stability improvement of a multiple finger power SiGe heterojunction bipolar transistor under different power dissipations using non-uniform finger spacing.Chinese Physics B, 2011, 20(1)

[21]Xie Hong-Yun;Zhang Wan-Rong*.Analysis of a wavelength selectable cascaded DFB laser based on the transfer matrix method.Journal of Semiconductors, 2010, 31(06).

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[23]Xie Hong-Yun; Jin Dong-Yue; He Li-Jian; Zhang Wei; Wang Lu; Zhang Wan-Rong; Wang Wei.Optical microwave generation based on DFB lasers.Acta Physica Sinica, 2008, 57(7): 4558-4563.

[24]Jin Dongyue; Zhang Wanrong; Shen Pei; Xie Hongyun; Wang Yang; Zhang Wei; He Lijian; Sha Yongping; Li Jia; Gan Junning.Multi-finger power SiGeHBTs for thermal stability enhancement over a wide biasing range.Solid-State Electronics, 2008, 52(6): 937-940.

發(fā)表中文期刊論文：

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[2]金冬月, 洪福臨, 張萬榮, 張洪源, 王毅華, 王煥哲, 王楷堯, 關(guān)寶璐. 垂直腔面發(fā)射激光器陣列熱設(shè)計研究進展[J]. 激光技術(shù), 1-22.

[3]那偉聰, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月. 人工智能神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)及其微波應(yīng)用課程設(shè)計與教學改革研究[J]. 電腦知識與技術(shù), 2024, 20 (08): 28-31.

[4]王曉雪, 張萬榮, 那偉聰, 任衍貴, 李楠星, 高文靜, 吳銀烽. 一種Q-f特性和對工作電壓波動魯棒性增強的有源電感[J]. 電子器件, 2024, 47 (01): 10-14.

[5]李楠星, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 那偉聰, 高文靜, 任衍貴, 吳銀烽. 一種新型的Q值與L值可相互獨立調(diào)諧的低噪聲有源電感[J]. 微電子學, 2024, 54 (01): 92-97.

[6]宋金達, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 那偉聰, 王雪, 張輝, 楚尚勛, 曹健. 一種Q-頻率特性增強的低噪聲壓控有源電感[J]. 微電子學, 2024, 54 (01): 98-103.

[7]任衍貴, 張萬榮, 那偉聰, 謝紅云, 金冬月, 王曉雪, 吳銀烽, 高文靜, 李楠星. 一種電感值和Q峰值可相互獨立調(diào)諧的高線性有源電感[J]. 微電子學, 2023, 53 (06): 1091-1097.

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[9]梁巖, 張萬榮, 那偉聰, 金冬月, 謝紅云, 許雅妹, 蔡梓騰. 一種電感值線性度高和Q值在多頻點下保持恒定的新型寬帶有源電感[J]. 電子器件, 2023, 46 (05): 1169-1173.

[10]金冬月, 賈曉雪, 張萬榮, 那偉聰, 曹路明, 潘永安, 劉圓圓, 范廣祥. 兼具高電流增益和高擊穿性能的電荷等離子體雙極晶體管[J]. 北京工業(yè)大學學報, 2023, 49 (11): 1141-1149.

[11]許雅妹, 張萬榮, 那偉聰, 金冬月, 謝紅云, 梁巖, 蔡梓騰. 一種低壓低功耗有源電感[J]. 微電子學, 2023, 53 (03): 419-424.

[12]高文靜, 張萬榮, 王曉雪, 李楠星, 任衍貴, 吳銀烽. 一種Q-f與L-f特性增強的高線性有源電感[J]. 微電子學, 2023, 53 (03): 425-430.

[13]邱宗玉, 張萬榮. 一種改進型共源-共柵-共漏有源電感[J]. 微電子學, 2023, 53 (02): 344-349.

[14]康翼麟, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 那偉聰, 李祎康, 李白. 一款多種優(yōu)異性能集于一體的高頻壓控有源電感[J]. 電子器件, 2023, 46 (01): 10-15.

[15]金冬月, 吳玲, 張萬榮, 那偉聰, 楊紹萌, 賈曉雪, 劉圓圓, 楊瀅齊. SOI基橫向SiGe HBT高頻功率性能改善技術(shù)[J]. 北京工業(yè)大學學報, 2022, 48 (12): 1280-1288.

[16]李祎康, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 那偉聰, 李白, 康翼麟. 一種同時具有優(yōu)秀電感值和Q值特性的壓控有源電感[J]. 電子器件, 2022, 45 (02): 251-255.

[17]李白, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 那偉聰, 李祎康, 康翼麟. 一種性能多種重構(gòu)的高頻壓控有源電感[J]. 微電子學, 2022, 52 (01): 22-27.

[18]金冬月, 曹路明, 王佑, 賈曉雪, 潘永安, 周鈺鑫, 雷鑫, 劉圓圓, 楊瀅齊, 張萬榮. 基于工藝偏差的自旋轉(zhuǎn)移矩輔助壓控磁各向異性磁隧道結(jié)電學模型及其應(yīng)用研究[J]. 物理學報, 2022, 71 (10): 400-412.

[19]張思佳, 張萬榮, 謝紅云, 金冬月, 那偉聰, 萬禾湛, 張昭. 一種新型高線性高頻有源電感[J]. 電子器件, 2021, 44 (06): 1309-1313.

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[21]張萬榮, 王飛虎. 新型PD協(xié)議芯片BMC解碼電路的設(shè)計與驗證[J]. 電子技術(shù)應(yīng)用, 2021, 47 (11): 29-32+38.

[22]李雨佳, 唐建石, 高濱, 許峰, 李辛毅, 張萬榮, 吳華強, 錢鶴. 一種抑制選通器耐受性退化的兩步寫入方法[J]. 半導體技術(shù), 2021, 46 (06): 434-439.

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[24]金冬月, 陳虎, 王佑, 張萬榮, 那偉聰, 郭斌, 吳玲, 楊紹萌, 孫晟. 基于工藝偏差的電壓調(diào)控磁各向異性磁隧道結(jié)電學模型及其在讀寫電路中的應(yīng)用[J]. 物理學報, 2020, 69 (19): 354-364.

[25]馬佩, 謝紅云, 沙印, 向洋, 陳亮, 郭敏, 劉先程, 張萬榮. 光窗口對SiGe/Si異質(zhì)結(jié)光電晶體管光響應(yīng)的影響[J]. 光子學報, 2020, 49 (08): 129-138.

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[29]胡冬青, 張萬榮. 基于解決“復(fù)雜工程問題”能力培養(yǎng)的半導體器件設(shè)計課程教學反思[J]. 電子世界, 2019, (23): 67-68.

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發(fā)表會議論文：

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[3]GUO Zhenjie, ZHANG Wan-rong, JIN Dongyue, XIE Hon.Improved Quality-factor of Cascode-grounded Active Inductor.2012 International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology(ICMMT), China, 2012-05-05 to 2012-05-08.

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榮譽獎勵：

1、1997年入選北京市科技新星計劃。

2、1999年入選北京市跨世紀優(yōu)秀人才工程。

3、2005年入選北京市屬市管高等學�！爸星嗄旯歉山處熍囵B(yǎng)計劃”。

4、微機電系統(tǒng)中傳感信號處理結(jié)構(gòu)的設(shè)計與研制，姜巖峰; 張萬榮; 鞠家鑫; 金冬月，中國電子學會, 中國電子學會電子信息科學技術(shù)獎, 三等獎, 2011.

5、Improved thermal stability in SiGe HBTs by emitter layout，金冬月，張萬榮*，9th International Conf. on the Solid-State and IC, 國際學術(shù)獎, 最佳學生論文獎, 2008.

6、Thermal Stability of the Power SiGe HBTs with Non-uniform Finger Length，金冬月，張萬榮*，2008 International Conference On Microwave and Mil, 國際學術(shù)獎項, 最佳學生論文獎, 2008.